Dr. Andrey Sarikov

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-2 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik,Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
KeywordsSubstoichiometric Si oxide, Interface layer, SiO2 precipitates, Thermodynamics, Gibbs free energy

Aktuelle Kontaktadresse

LandUkraine
OrtKiev
Universität/InstitutionNational Academy of Sciences of Ukraine
Institut/AbteilungV. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, Physical Principles of Integrated Microelectronics

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Walther FuhsInstitut für Silizium-Photovoltaik, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB), Berlin
Prof. Dr. Norbert NickelInstitut für Silizium-Photovoltaik, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB), Berlin
Prof. Margit ZachariasInstitut für Mikrosystemtechnik (IMTEK), Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Freiburg
Dr. Gudrun KissingerAbteilung Materials Research, Innovations for High Performance Microelectronics Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt (Oder)
Dr. Andrey SarikovV. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, Physical Principles of Integrated Microelectronics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev
Prof. Dr. Sascha PreuInstitut für Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt
Priv. Doz. Dr. Oktay YilmazogluInstitut für Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt
Beginn der ersten Förderung01.01.2005

Programm(e)

2004Humboldt-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2006J. Schneider, A. Sarikov, J. Klein, M. Muske, I. Sieber, T. Quinn, H. S. Reehal, S. Gall, W. Fuhs: A simple model explaining the preferential (1 0 0) orientation of silicon thin films made by aluminum-induced layer exchange. In: Journal of Crystal Growth, 2006, 423-427
2006N. I. Klyui, V. G. Litovchenko, A. N. Lukyanov, L. V. Neselevskaya, A. V. Sarikov, V. G. Dyskin, U. Kh. Gaziev, Z. S. Settarova, M. N. Tursunov: Influence of deposition conditions on the antireflection properties of diamond-like carbon films for Si-based solar cells. In: Technical Physics, 2006, 654-658
2006Andrey Sarikov, Jens Schneider, Juliane Klein, Martin Muske, Stefan Gall: Theoretical study of the initial stage of the aluminium-induced layer-exchange process. In: Journal of Crystal Growth, 2006, 442-445
2005Jens Schneider, Juliane Klein, Andrey Sarikov, Martin Muske, Stefan Gall, Walter Fuhs: Suppression of nucleation during the aluminum-induced layer exchange process. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 2005, A2.2.1-A2.2.6